Nuovo brevetto Unict per la pulizia degli impianti di produzione dei semiconduttori

Il procedimento innovativo, realizzato dalla docente Maria Elena Fragalà, è destinato a suscitare grande interesse nell’industria di questo settore

Mariano Campo

Un team dell’Università di Catania ha messo a punto un procedimento innovativo, ora brevettato, destinato a suscitare grande interesse nell’industria dei semiconduttori. Il metodo consente la rimozione selettiva e controllata di strati di carburo di silicio (SiC) da superfici in grafite, impiegate nei reattori epitassiali per la produzione di microchip e dispositivi elettronici di ultima generazione.

Il problema nasce nel cuore del processo produttivo: all’interno di queste macchine, utilizzate per la crescita di film sottili su wafer di semiconduttore, si formano spesso spessi depositi di carburo di silicio, un materiale estremamente duro e resistente, che aderisce tenacemente alle superfici in grafite. Se non rimossi, questi residui compromettono la funzionalità e il riutilizzo dei componenti. Fino ad oggi, la rimozione era complessa, costosa e poco sostenibile.

Grazie alla ricerca condotta dalla prof.ssa Maria Elena Fragalà, docente del Dipartimento di Scienze chimiche, in collaborazione con l’azienda LPE (oggi parte del gruppo ASM International), è stato sviluppato un trattamento chimico efficace in grado di staccare il SiC senza danneggiare la grafite sottostante. Questo consente di recuperare e riutilizzare le componenti industriali, riducendo in maniera significativa gli scarti, i costi di produzione e l’impatto ambientale.

Semiconduttori

Semiconduttori

Il progetto ha preso avvio nel 2022 come iniziativa autonoma tra la prof.ssa Fragalà e il dott. Giovanni Franco, consulente scientifico dell’azienda partner. Il processo è stato sperimentato con successo nei laboratori dell’Università e ha portato, nel marzo 2023, al deposito della domanda di brevetto, concessa poi a febbraio 2025.

Il titolo di proprietà intellettuale, condiviso con l’azienda, è stato oggetto della prima cessione parziale di un brevetto proveniente dal portafoglio tecnologico dell’Ateneo, segnando un passo importante nel percorso di Trasferimento Tecnologico promosso dall’Università di Catania.

Questa operazione rappresenta un modello virtuoso di collaborazione tra ricerca pubblica e industria, mirato alla valorizzazione delle competenze accademiche e alla generazione di soluzioni concrete per le sfide tecnologiche più attuali. Il settore dei dispositivi al carburo di silicio è infatti in piena espansione, come confermato dall’interesse crescente di numerosi attori industriali a livello globale.

brevetto

Brevettazione del metodo

Il processo di definizione e formalizzazione dell’accordo di cessione è stato coordinato dal prof. Antonio Terrasi, delegato del rettore per il Trasferimento tecnologico, con il supporto dell’Area della Terza Missione e dell’avv. Irene Manganaro dell’Ufficio Brevetti. Il lavoro sinergico con la prof.ssa Fragalà ha assicurato il successo dell’operazione e la tutela degli interessi scientifici e patrimoniali dell’Ateneo.

Come previsto dal regolamento interno, i proventi derivanti dalla cessione saranno ripartiti tra l’inventrice, il dipartimento di afferenza e il fondo brevetti dell’Università di Catania, destinato a sostenere nuove attività di innovazione e tutela della proprietà intellettuale.

Un successo che dimostra come la ricerca universitaria, quando supportata da una visione strategica e da una rete efficace di competenze, possa generare innovazione sostenibile e trasferibile, contribuendo allo sviluppo industriale e alla competitività tecnologica del territorio.

La prof.ssa Maria Elena Fragalà

La prof.ssa Maria Elena Fragalà

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